Дозовые эффекты:

  • ESCC 2269000 Evaluation test program for monolithic integrated circuits.
  • MIL‐STD‐883 Test method standard microcircuits.
  • MIL‐STD‐750 Test Method Standard – Semiconductor devices.
  • Методы испытаний и оценки стойкости бортовой радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов к воздействию электронного и протонного излучений.
  • Методы установления требований по стойкости радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов к воздействию заряженных частиц космического пространства естественного происхождения.
  • Методика неразрушающего определения индивидуальных характеристик дозовой стойкости интегральных микросхем типа «металл-оксид-полупроводник» к ионизирующим излучениям космического пространства.
  • Метод отбраковки потенциально ненадежных и отбора интегральных микросхем типа металл-оксид-полупроводник с повышенной стойкостью к ионизирующим излучениям космического пространства в части дозовых эффектов, имеющих аномальное поведение при облучении и отжиге.
  • Методика контроля стойкости к ионизирующим излучениям космического пространства в части дозовых эффектов, отбора и отбраковки биполярных электрорадиоизделий.
  • Методика обеспечения защиты радиоэлектронной аппаратуры КА от ионизирующего излучения космического пространства в части дозовых радиационных эффектов за счет локального экранирования критических узлов.

Одиночные эффекты:

  • ESCC 25100 Single event effects test method and guidelines
  • MIL‐STD‐750 Test Method Standard – Semiconductor devices
  • ASTM F1192-11 Standard Guide for the Measurement of Single Event Phenomena (SEP) Induced by Heavy Ion Irradiation of Semiconductor Devices.
  • EIA/JEDEC 57 Test Procedures for the Measurement of single-event effects in semicond devices from heavy ion irradiation. Процедуры испытаний для измерения одиночных эффектов в полупроводниковых устройствах от облучения тяжелыми ионами.
  • Методы установления требований по стойкости радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов к воздействию заряженных частиц космического пространства естественного происхождения.
  • Методы испытаний цифровых интегральных микросхем на воздействие отдельных высокоэнергетических протонов и тяжелых заряженных частиц космического пространства на ускорителях заряженных частиц.
  • Методы испытаний аналоговых и аналогово-цифровых интегральных микросхем к воздействию одиночных высокоэнергетических протонов и тяжелых заряженных частиц космического пространства на ускорителях заряженных частиц.
  • Методы испытаний мощных МОП-транзисторов к воздействию одиночных высокоэнергетических протонов и тяжелых заряженных частиц космического пространства на ускорителях заряженных частиц.
  • Методы расчета показателей стойкости интегральных микросхем к воздействию заряженных частиц космического пространства по одиночным сбоям и отказам.
  • Методы оценки стойкости к воздействию заряженных частиц космического пространства по одиночным эффектам.